2026年晶圓代工市場趨勢解讀：從先進制程競賽到成熟產能轉移
與此同時，截至2025年末AI與車用芯片需求強勁，推動先進工藝與封裝技術快速發展，而產能緊張也導致存儲芯片短缺與消費電子成本壓力上升。區域化供應鏈與AI芯片生態多元化成為未來重要趨勢，盡管市場增長顯著，但目前尚未出現明顯的泡沫跡象。
2026年晶圓代工市場增長19%，但難滿足市場需求
據集邦咨詢(TrendForce)預測，2026年全球晶圓代工產業營收將增長19%，總營收預計為2,032億美元，這主要由臺積電主導及AI驅動。按區域來劃分，2026年全球十大晶圓代工企業總營收中，有78%的營收來自中國臺灣地區，中國大陸地區的份額為8%，韓國的份額為7%；按具體公司來看，2026年僅臺積電一家就貢獻了全球72%的營收，排名第二的三星貢獻了6.8%的營收，中芯國際以4.8%的營收占比排名第三。
從預測的各主要晶圓代工廠商2026年的營收表現來看，臺積電的營收將有望保持同比20%以上的增長，此外華虹集團、世界先進、晶合集成則有望保持接近20%的同比增長；三星電子、格羅方德、聯電、中芯國際、Tower的同比增幅都預計在5%上下。
郭祚榮補充表示，若無臺積電，2026年全球晶圓代工總營收只能增長7.7%。當前，臺積電3/5/7納米(nm)制程工藝硅片單價介于1萬至2萬多美元區間。預計到2026年，臺積電先進芯片代工服務價格將上漲10%——該公司規劃，未來3年內將維持每年約5%的漲幅，其中3nm硅片單價或將突破3萬美元。
隨著臺積電1.6nm、1.4nm及1nm等更先進制程芯片逐步量產，相關硅片的單價也將進一步攀升，且營收占比也將逐年提升。在此基礎上，2026年全球先進工藝預計將有29%的增長——該指數既包括了漲價因素在內，也包括先進封裝的增長因素。
目前，AI芯片與車用芯片的需求最為強勁。實際上，2024年AI服務器的成長率猛增至46%，集邦咨詢以這一基數為基礎曾預測“AI服務器此后將維持逐年穩定成長”，但該機構在2025年下半年將之前預測的2026年增速上修至24%。
過去半年里，AI服務器領域究竟發生了什么？郭祚榮解釋說，這主要源于美系云服務商(CSP)加速AI基礎設施建設，通過大規模資本投入(如亞馬遜1,250億美元、微軟800億美)構建AI算力集群，導致芯片制造產能滿載和閃存、內存供應緊缺的連鎖反應。
根據他的分析，本輪存儲缺貨事件也與晶圓代工關系存在聯系，“臺積電出貨AI芯片越多，內存、閃存就會越缺貨。”在結構性缺貨的背景下，預計2026年存儲芯片價格持續上漲，消費電子市場將面臨更大壓力。“終端產品的毛利較低，廠商難以自行消化成本，可能會通過漲價來轉嫁消費者，預計2026年智能手機與筆記本市場年出貨量下跌2%。”
AI芯片需求旺盛，尤其HBM和DDR5等高性能計算芯片，并帶動邊緣端AI芯片(如NPU)需求。晶圓廠為追求更高利潤，優先將先進制程產能分配給AI芯片訂單，但成熟制程因價格策略調整有限，導致供給端難以滿足巨大需求，加劇部分品類的供需矛盾。
8/12英寸晶圓CAGR及產能利用率
除了聚焦供需關系之外，郭祚榮也分析了晶圓CAGR及產能利用率。2021至2030年期間，12英寸晶圓產能的年復合增長率(CAGR)將為10.4%，其增長動力主要來自中國市場——根據全球各半導體設備商財報，中國市場的營收貢獻普遍達30%至40%，期間該市場的CAGR約為21.4%，這一數據顯著高于全球平均水平(非中國市場CAGR僅為6.2%)。
2021至2030年，8英寸晶圓產能的增勢則相當微弱，主要通過優化與自動化升級維持約1.2%的CAGR。相對于12英寸而言，8英寸晶圓的毛利更低，近些年包括晶圓代工廠、IDM廠，都在有意減少自己的8英寸產線，而把自己的重心聚焦在12英寸產線上，故而全球8英寸晶圓產能增速緩慢。未來8英寸也會像6英寸晶圓一樣，在成熟制程領域持續收縮，晶圓產能向高附加值環節集中。
再看2021至2030年期間，各區域的先進制程和成熟制程的產能占比趨勢。
圖1：2021至2030年，全球各地先進制程產能占比 制圖：國際電子商情 數據來源：TrendForce
圖2：2021至2030年，全球各地成熟制程產能占比 制圖：國際電子商情 數據來源：TrendForce
最近幾年，臺積電加強在海外進行先進制程產能布局，預計到2030年中國臺灣地區的先進制程產能占比降至55%，而這一數字在2021年為66%。與此同時，美國的先進制程產能占比顯著提升，從2021年的18%增至2030年的28%；中國大陸地區的先進制程產能占比會從2021年的5%降至2030年的4%。
在成熟制程產能布局方面，將有兩個最明顯的變化——一方面是，中國臺灣地區的占比將從2021年的54%減少至2030年的26%；另一方面是，中國大陸地區的占比將從2021年的22%增長到2030年的52%。
其實，這主要是因中國大陸地區在先進制程擴產方面受限，在過去幾年對成熟制程進行了擴產，隨著擴產的8英寸產能陸續達產，到2030年將有超過一半以上的成熟制程芯片產自該地區。與此同時，中國臺灣地區的代工廠(以臺積電為首)的重心聚焦于先進制程，逐漸減少對成熟制程芯片的投入，到2030年其占比明顯減少。
再關注全球晶圓代工廠的產能利用率。預計2026年Q1，各晶圓代工廠的8英寸利用率將出現下滑，到Q2、Q3將會保持回升，部分企業在Q4將出現小幅下滑。2026年8英寸產能利用率整體上會與2025年持平。細化每家晶圓廠的8英寸產能利用率，整體可分為三個梯隊：
第一梯隊包括華虹、中芯國際及世界先進，它們的產能利用率均超過90%。華虹與中芯國際主要承接國內市場需求，在部分應用場景或政策要求下，國外廠商若想深度進入國內市場，可能需要通過國內代工廠生產，也推高了這些企業的產能利用率。世界先進因承接大量AI相關的PMIC訂單，其產能利用率維持在90%以上。
第二梯隊包括力積電(PSMC)、臺積電與格羅方德，產能利用率在70%至90%之間。由于臺積電的業務重心不在8英寸領域，其8英寸產能利用率在75%至80%之間；此前，格羅方德8英寸產能利用率在70%至75%，預計到2026年將增長到75%至80%。
第三梯隊的產能利用率不足70%，以聯電和三星為代表。由于市場對成熟制程報價極為敏感，聯電選擇維持價格穩定以保護毛利率，但成熟制程客戶因此轉為觀望，主動放緩投片節奏；三星則有意降低8英寸產能配置，將資源轉移至其他產線，且該公司部分舊設備尚未處置，導致產能利用率僅為67%左右。
2026年，各晶圓代工廠的12英寸產能利用率整體將有提升。預計到2026年Q4，晶合集成、力積電、中芯國際的12英寸晶圓產能利用率分別達到93%、91%、90%；格羅方德、臺積電、華虹集團、聯電的12英寸晶圓產能利用率分別為87%、86%、84%、82%；三星電子的12英寸晶圓產能利用率則只有75%左右。
郭祚榮分析稱，晶和集成12英寸的產能利用率最高，主要受國內內循環需求推動，其2026年整體出貨量持續增加。此外，力積電、臺積電的產能利用率也呈穩步提升趨勢。三星受限于先進工藝競爭力不足，其12英寸產能利用率較低——截至2025年Q4，三星3nm良率僅約30%，臺積電3nm良率已超過80%；三星2nm良率低于10%，臺積電2nm良率保持在80%上下。
晶圓代工廠的資本支出及產能投片量
晶圓代工廠的資本支出也值得關注。據集邦咨詢預計，2026年全球前十大晶圓代工廠總資本支出同比增長13.3%，主要用于先進制程的產能擴充。
圖3：全球十大晶圓廠2025、2025年資本支出 制表：國際電子商情 數據來源：TrendForce
其中，臺積電的資本支出規模顯著高于同業，其2026年資本支出將達477.08億美元，同比增長18%。相比之下，三星、中芯國際、聯電等廠商2026年的資本支出雖有小幅增長，但規模遠不及臺積電。整體來看，臺積電2026年資本支出的金額高于另9家資本支出的總和，也這反映出該公司對市場前景的強烈信心(詳見圖3)。
具體來看，臺積電的高額投資主要用于先進制程研發、先進封裝產能擴張，以及全球制造基地建設。例如，臺積電在中國臺灣地區正推進多項關鍵項目：新竹寶山廠已完成2nm工藝布局，并規劃導入1.4nm工藝；臺中廠也將建設1.4nm產線；在嘉義等地建設的先進封裝廠(如A07、A08)亦需大量資金。
此外，臺積電海外布局也在同步展開：美國亞利桑那州的首座工廠已完工，第二座工廠將導入2nm工藝(該廠技術節點僅比中國臺灣廠晚一代)；日本熊本第一座工廠已投產，第二座工廠正在規劃中；德國工廠(英文簡稱ESMC，中文名為歐洲半導體制造公司，臺積電占股70%)也在按計劃推進中。
下面關注全球十大12英寸晶圓代工廠的產能投片。預計2026年成熟制程與先進制程的總投片量將增至332.6萬片，較2025年的300萬片同比增長11%。其中，新增投片量中約有75%是成熟制程，25%是先進制程。
在先進制程節點中，2nm工藝的月產能預計約為5.5萬片，主要由臺積電貢獻；3nm產能被英偉達、AMD及主要云端廠商的自研芯片集中占據，目前月產能僅約3000片。
在成熟制程節點方面，28nm/22nm節點的月投片5.4萬片，45nm/40nm節點的月投片5.3萬片，65nm/55nm及90nm/80nm節點的月投片6.2萬片。2026年新增成熟制程產能中，約有77%來自中國大陸地區。隨著中國大陸地區新建產能陸續釋放，到2026年該地區28nm產能占比將待36%，40nm產能占比33%，55nm產能占比28%，90nm產能占比3%。
到2026年臺積電、三星、英特爾將分別推進到N2P/A16、SF2P、14A，但中國大陸地區由于半導體設備出口限制，在先進制程產能擴張方面受到明顯的限制。不過，中國借助現有的DUV光刻機和多重曝光技術，有望演進到等效臺積電7nm的先進制程，并還能在等效7nm的基礎上進行優化。這也是中國大陸地區選擇通過成熟制程積累，并逐步向先進制程延伸的產業發展路徑的主要原因。
AI需求暫未出現明顯的市場泡沫
在先進制程與先進封裝領域，臺積電計劃于2026年量產S6工藝節點，該節點實際為基礎2nm技術的增強版。至2028年，臺積電將推進至A14、A12、A10等新一代工藝。在A12之后，臺積電將采用比EUV設備更加先進的GAA設備。
3nm制程是當前AI芯片的競爭焦點。為緩解該節點產能緊張，臺積電通過提供優惠條件，促使蘋果將部分需求轉向2nm工藝，從而為AMD MI350、英偉達Rubin等AI芯片釋放出更多3nm產能。目前，美國主流AI芯片幾乎均采用此制程。
集邦咨詢指出，2025年全球先進封裝產能同比猛增82%，預計2026年將繼續增長27%。其中，臺積電主導的CoWoS占據了大部分先進封裝產能。CoWoS對整合AI芯片與HBM至關重要，現在臺積電CoWoS業務的利潤率已超過先進制程，主要因為其生產設備成本較低，先進封裝單片晶圓價格已從三年前的約5,000美元/片漲至1萬美元/片，未來可能提升至1.7萬美元/片——臺積電CoPoS技術已明確規劃于2026年設立實驗線，目標2028年底至2029年量產，CoWoP作為其衍生技術，或將會同步推進。
在郭祚榮看來，未來半導體產業的關鍵趨勢主要體現在以下兩個方面：
首先，供應鏈呈現顯著的區域化特征。如今，中國市場積極推動內循環，國際IDM廠商(如英飛凌、恩智浦、德州儀器、安森美)在中國境內生產時，傾向于選擇臺積電南京廠或中芯國際等本地代工廠；而為供應中國以外的市場，它們則主要委托臺積電或聯電進行制造。這種基于地域市場選擇不同代工伙伴的策略，本質上是各國強化本土產業鏈安全的普遍做法。
其次，AI芯片生態正從集中走向多元化。盡管英偉達憑借其高毛利占據主導，但高昂成本也促使谷歌、微軟、AWS等云服務巨頭開始自研ASIC芯片。這些公司通常委托博通、聯發科等設計IP，再交由臺積電、三星或英特爾來代工，從而形成了一個新興的軟硬件協同生態。然而，無論是英偉達GPU還是各類ASIC，均需搭載HBM或DDR5等高端內存，這導致存儲產能持續緊張，加劇了整體芯片的供應短缺。
綜合來看，在當前的AI浪潮下，臺積電正持續擴大產能并動態調整生產計劃。從臺積電自身及其下游服務器代工廠(如偉創、鴻海、廣達)的反饋來看，AI服務器需求在2026年前仍將保持增長，尚未出現明顯的市場泡沫跡象。
